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DRAM
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Es la memoria dinámica de acceso aleatorio cuyo acrónimo corresponde a su nombre en inglés Dynamic Random Access Memory. Tiene una capacidad de retención de datos muy corta en tiempo, razón por la cual requiere de circuitería para refrescar el contenido almacenado en ella cada determinado tiempo. Esto funciona de manera similar a un cubo con agua lleno de hoyos; al llenarse comienza a vaciarse y debe de haber una persona que esté revisando constantemente el cubo para mantenerlo al nivel original dentro de un rango de seguridad. El cubo lleno sería el equivalente al uno (1) lógico y el vacío al cero (0) lógico. Al tiempo que toma la revisión del estado del agua de la analogía, se le llama tiempo de refresco en el circuito. Esta es la memoria de trabajo, por lo que a mayor cantidad de memoria, más datos se pueden almacenar en ella y más aplicaciones pueden estar funcionando simultáneamente. De manera similar, a mayor cantidad de memoria mayor velocidad de acceso relativa, pues los programas no necesitan buscar datos continuamente en el disco duro, el cual es mucho más lento. Esta situación constantemente, casi de manera habitual, provoca confusión sobre la relación cantidad de memoria - velocidad de proceso, ya que comúnmente se cree que la memoria aumenta la velocidad de procesamiento, sin embargo, la velocidad de proceso sigue siendo la misma; la diferencia en el tiempo de respuesta es meramente apreciativa debido a que con más memoria los datos están en RAM, que es un medio de almacenamiento que regularmente tiene un tiempo de acceso dado en nanosegundos mientras que el disco duro tiene un tiempo de acceso dado en milisegundos. La cantidad de memoria no afecta la velocidad de procesamiento, sino la de acceso a los datos, siempre y cuando se encuentren cargados en ella. DRAM está disponible en el mercado con diversas tecnologías que centralmente son iguales. La diferencia está comúnmente en la forma en que está organizada y cómo es accesada. Esto usualmente conduce a una confusión común en las computadoras que mencionan la utilización de DRAM o simplemente RAM, ya que todo tipo de memoria en uso es una variación de la DRAM y absolutamente toda la memoria de uso en la computadora es RAM. En tanto los procesadores adquieren megahertz, la memoria debe de incrementar linealmente su eficiencia y velocidad. Las compañías fabricantes han inventado arquitecturas progresivamente más veloces para permitir este incremento, sin embargo, las diferencias entre las tecnologías no es tan grande, ya que usualmente la variación entre los acrónimos de las tecnologías DRAM es resultado de cambios en la forma en que la DRAM está conectada, configurada o direccionada internamente, además de algunos circuitos especiales para mejorar el desempeño del dispositivo, llegando a extremos en los que se integran circuitos de SRAM directamente en el módulo DRAM para aumentar el desempeño. De manera similar, usualmente la cantidad de memoria en un equipo de cómputo tendrá un efecto más incisivo en el desempeño que la calidad de la memoria en sí.
Los módulos de memoria con paridad se distinguen porque tienen un número impar de pastillas de silicio. El circuito impar es el de paridad, que se utiliza para comprobar el flujo de datos y eliminar los errores que se pueden producir. Este tipo de memoria se utiliza especialmente en servidores, por la necesidad de mantener la integridad de los datos. La memoria con código de corrección de errores o ECC por las siglas de su nombre en inglés Error Correcting Code usa principalmente en servidores y poseen un método diferente de corrección de errores más preciso que el anterior. La diferencia consiste en que en los módulos con paridad se compara cada byte antes y después de pasar por la DRAM y si se detecta un error se eliminan los datos y se repite el proceso de lectura, pero no se sabe dónde ocurrió e l error. En los módulos ECC los errores se detectan con mayor precisión y se pueden corregir los errores. En la memoria sin paridad, no se detectan los errores y los datos se procesan tal y como están almacenados en la circuitería con la consiguiente posibilidad de corrupción que se produce ocasionalmente en los equipos. FPM(Fast Page Mode , Modo de Paginamiento Rápido )Su nombre procede del modo en que transfiere los datos, llamado paginamiento rápido. Es la memoria más común y la que utiliza la tecnología más vieja. Es el tipo de memoria estándar en las computadoras con procesadores 386, 486 y los primeros Pentium . Llegó a alcanzar velocidades de hasta 60 nanosegundos (ns). Se presentaba en módulos SIMM (Single In-line Memory Module )de 30 contactos a 16 bits para los 386 y 486 y en módulos de 72 contactos (32 bits) para las últimas placas 486 y las placas para Pentium. Este tipo de memoria fue tan popular que inclusive llegó a ser utilizada en tarjetas gráficas, sin embargo, sus limitaciones técnicas como el puerto simple, que sólo permitía un acceso de 16 bits a la vez, así como su baja velocidad de operación dieron pie a la creación de nuevas tecnologías con mayor velocidad, una ruta de datos más amplia y puerto doble para permitir la lectura/escritura simultánea. EDO (Extended Data Output, Salida Extendida de datos)La memoria EDO , cuyo nombre son las siglas para Salida Extendida de Datos en inglés, utiliza la misma tecnología que la FPM con una ligera modificación en el ciclo de acceso que aumenta su desempeño de un 5% a 20%. En la memoria EDO la lectura a memoria puede comenzar antes de que la anterior haya terminado completamente. Su mayor calidad le hizo alcanzar velocidades de hasta 45 ns, dejando satisfechos a los usuarios de los ordenadores Pentium, Pentium Pro, y los primeros Pentium II que demandan mayor velocidad de proceso. Su compatibilidad es muy alta. Se presenta en módulos SIMM de 72 contactos a 32 bits y módulos DIMM de 168 contactos de 64 bits . Aunque originalmente fue utilizada para la memoria principal del sistema, también debutó en las tarjetas gráficas de bajo nivel ya que no ofrece una mejora significativa sobre la FPM y existen tecnologías específicas para video que si bien eran más caras, igualmente ofrecían un mayor desempeño. SDRAM (Synchronous DRAM, DRAM Síncrona)Es un tipo síncrono de memoria, que, como su nombre lo indica, se sincroniza con el procesador, es decir, el procesador puede obtener información en cada ciclo de reloj, sin estados de espera, como en el caso de los tipos anteriores. La memoria EDO está diseñada para operar a una velocidad mínima de transporte de 66 Mhz (la mínima velocidad de bus de los procesadores de Pentium II y el doble de la del PCI), llegando a alcanzar 75MHz y 83 MHz ( necesarias para algunos procesadores CYRIX, o para sobreacelerar los módulos de 45 y 50ns, aunque con cierta inestabilidad. Sin embargo, la memoria SDRAM puede aceptar velocidades de BUS de hasta 100 MHz, lo que dice mucho a favor de su estabilidad y ha llegado a alcanzar velocidades de 10 ns. Se presenta en módulos DIMM de 168 contactos. El ser una memoria de 64 bits, igual que los procesadores Pentium, Pentium Pro y Pentium II, implica que no es necesario instalar los módulos por parejas de módulos de igual tamaño, velocidad y marca. Inicialmente este tipo de memoria sólo era soportado por los conjuntos de circuitos 82430VX, 82430TX y 82440LX de Intel y la circuitería 580VP, 590VP y 680VP de VIA Technologies. DIMM PC-100 DRAM
BEDO (Burst Extended Data Output, Ráfaga de Salida Extendida de Datos)Fue diseñada originalmente para el conjunto de circuitos Intel 82430HX para soportar mayores velocidades del transporte. Al igual que la memoria SDRAM, esta memoria es capaz de transferir datos al procesador en cada ciclo de reloj, pero no de forma continua, como la anterior, sino a en ráfagas, reduciendo, aunque no suprimiendo totalmente, los tiempos de espera del procesador para escribir o leer datos de memoria. RDRAM (Direct Rambus DRAM)
Una particularidad de este tipo de memoria es que todas las ranuras en la placa base deben de estar ocupadas, aún cuando la memoria esté contenida en un solo módulo. Las ranuras no utilizadas deben de ser ocupadas con un PCB conocido como módulo de continuidad, para cerrar el circuito. Los módulos RAMBus también son conocidos como RIMM, acrónimo para Rambus Inline Memory Modules o Módulos de Memoria Rambus en Línea, que también soporta ECC. Esta memoria fue lanzada al mercado por Intel en 1998 para satisfacer las demandas de alto desempeño de sus procesadores Pentium III. Es una memoria de 64 bits que puede producir ráfagas de 2ns y alcanzar tasas de transferencia de 533 MHz, con picos de 1.6 GB/s. Es el complemente ideal para equipos con uso intensivo de memoria que requieran de altas tasas de transferencia sostenidas tales como estaciones de trabajo, servidores e inclusive tarjetas gráficas AGP, evitando los cuellos de botella en la transferencia entre la tarjeta gráfica y la memoria de sistema durante el acceso directo a memoria para el almacenamiento de texturas gráficas. Uno de los problemas más grandes con la memoria Rambus es su alto costo de producción comparado con el de la SDRAM y DDR RAM, además de que por tratarse de una tecnología propietaria de Rambus Inc., los fabricantes que desean producirla requieren de pagar regalías, mientras que los diseños para DDR RAM son de arquitectura abierta. Otros factores de costo para la memoria Rambus incluyen la fabricación de módulos adicionales, procesos de prueba y un mayor tamaño de componentes; los microcircuitos de Rambus son mucho más grandes que los de SDRAM, incluyendo DDR RAM.Quizá el problema más complicado de este tipo de memoria es que se trata de una arquitectura propietaria de Intel, a diferencia de las otras tecnologías que son abiertas, por lo cual es necesario pagar derechos por su implementación en circuitos de terceros. DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM, SDRAM-II, SDRAM de doble velocidad de datos)
la DDR RAM soporta ECC, habitualmente utilizado para servidores y diseño sin paridad para equipos portátiles y de escritorio. Funciona velocidades de 83, 100, 125MHz, pudiendo doblar estas velocidades en la transferencia de datos a memoria. Esta velocidad puede incluso llegar a triplicarse o cuadriplicarse, con lo que se adapta a los nuevos procesadores y al AGP 100Mhz x2, x4 y x8. Este tipo de memoria tiene la ventaja de ser una extensión de la memoria SDRAM, con lo que facilita su implementación por la mayoría de los fabricantes, aunque en un principio no disponía del apoyo de Intel, quien contaba con su tecnología propietaria RDRAM, y además, al ser una arquitectura abierta, no hay que pagar derechos a fabricante alguno. VIA, soportó esta tecnología desde 1998 con su chipset MVP3. Fujitsu anunció los primeros módulos de este tipo de memoria con velocidad de 200MHz a finales de 1998. SLDRAMFunciona con velocidades de 400MHz, alcanzando en modo doble 800MHz, con transferencias de 800 Mbps, llegando a alcanzar 1,6GHz, 3,2GHz en modo doble, y hasta 4GB/s de transferencia. Se cree que puede ser la memoria a utilizar en los grandes servidores por la alta transferencia de datos. Su problema, al igual que en la DDR SDRAM es la falta de apoyo por parte de Intel. SIEMENS y MICRON van a empezar a producir memoria SLDRAM. Se esperan los primeros módulos de este tipo de memoria para principios de 1998. ESDRAMEste tipo de memoria fue apoyada por DEC para sus equipos Alpha. Funciona a 133MHz y alcanza transferencias de hasta 1,6 GB/s, pudiendo llegar a alcanzar en modo doble, con una velocidad de 150MHz hasta 3,2 GB/s. El problema es el mismo que el de las dos anteriores, la falta de apoyo, y en este caso agravado por el apoyo minoritario de VLSI, IBM y DIGITAL. La memoria FPM (Fast Page Mode) y la memoria EDO también se utilizan en tarjetas gráficas, pero existen además otros tipos de memoria DRAM, pero que sólo de utilizan en tarjetas gráficas, y son los siguientes:
RAM de Etiqueta (Tag RAM)Este tipo de memoria almacena las direcciones de cualquier dato de memoria DRAM que hay en la memoria caché. Si el procesador encuentra una dirección en la Tag RAM, va a buscar los datos directamente a la memoria caché si no, va a buscarlos directamente a la memoria principal. Cuando se habla de la memoria cacheable en las placas base para Pentium con los conjuntos de circuitos 430FX, 430VX, 430HX y 430TX de Intel, nos referimos a la cantidad de Tag RAM, es decir, la cantidad de datos de memoria que se pueden almacenar en la caché. Una de las desventajas de la circuitería 430TX frente a la 430HX es que solo se pueden almacenar los datos de 64 MB de memoria RAM, con lo cual, en ciertos casos, en las placas con este circuito se produce un descenso del rendimiento de memoria al tener instalados más de 64 MB de memoria RAM en el equipo. RAM de Parpadeo (Flash RAM)Desde el principio de la década de 1980, esta memoria ha sido utilizada para dispositivos independientes debido a su especial característica de mantener la información contenida en ella a pesar de la falta de alimentación eléctrica, es decir, no es volátil. Esta memoria ha sido principalmente utilizada en la industria de los dispositivos móviles e inalámbricos que no requieren de un uso intensivo de memoria. La principal falla de esta memoria es que se desgasta y comienza a fallar después de haber sido leída o escrita aproximadamente un millón de veces. Memoria Unificada Ovónica (Ovonic Unified Memory, OUM)Esta memoria nación como teoría en el ejemplar de Septiembre de 1970 de la publicación Journal Electronics, en un artículo técnico de Gordon Moore, cofundador de Intel Corporation y creador de la ley que lleva su nombre; y Stanford Ovshinsky, un inventor de Michigan. En este artículo se prometía un nuevo tipo de memoria que no se apoyaba en circuitos de sílice, sino en una película delgada de germanio, estaño, tungsteno y otros elementos. Por décadas, esta idea permaneció almacenada, y se desarrolló como la película utilizada en los discos compactos regrabables, y celdas solares flexibles, hasta que Intel recuperó la investigación buscando un reemplazo para la memoria de parpadeo que se desgasta con el uso. Esta tecnología, bautizada como Memoria Ovónica Unificada (Ovonic Unified Memory), se ha puesto en estudio como memoria base para la siguiente generación de dispositivos independientes. La memoria Ovónica adquiere su nombre de "Ovshinsky" y "Electronic", y podría ser un reemplazo de la memoria de parpadeo, además de la DRAM y la SRAM para los dispositivos independientes que no requieren de una memoria de alto desempeño. RAM Magnética (Magnetic RAM, MRAM)La Memoria Magnética de Acceso Aleatorio o MRAM por las siglas de su nombre en inglés, Magnetic Random Access Memory, fue desarrollada durante la década de 1970, pero raramente comercializada, ha sido investigada y desarrollada por IBM, Motorola y otros, como una alternativa para la memoria flas. La MRAM almacena información al invertir la alineación de dos capas de material magnético con una corriente eléctrica RAM de Video (Video RAM, VRAM)La DRAM típicamente utilizada en las tarjetas de video no tiene la capacidad suficiente para satisfacer las demandas de la alta resolución y profundidad de color con una velocidad de refresco aceptable, debido a un par de factores de competencia por la memoria de video; estos son: el procesador de video recalculando y escribiendo en memoria la nueva imagen y el RAMDAC leyendo el contenido de la memoria para enviar la señal de video al monitor. Para resolver esta situación se creó un tipo de memoria conocida como Video RAM o VRAM, que como su nombre lo indica, está diseñada específicamente para ser utilizada en sistemas de video, siendo su principal diferencia la integración de puertos duales, esto es, la creación de dos rutas de acceso que le permites ser escrita y leida simultáneamente. La ventaja de esto es fundamental para permitir que el procesador trabaje en la nueva imagen grabándola en memoria, mientras que esta es enviada simultáneamente al monitor sin que un proceso entorpezca al otro. Es importante recalcar que la VRAM es totalmente distinta al concepto genérico de RAM de video o Video RAM que se refiere exclusivamente a la memoria del subsistema de video en general, especialmente en los casos en que se trata de memoria compartida. La VRAM provee un ancho de banda substancialmente superior a la DRAM o EDO
RAM tradicionales, y es ideal para los sistemas que requieren alta resolución y
profundidad de color. La única razón por la que la VRAM no ha reemplazado a la
DRAM para su utilización en la memoria principal es su costo, ya que el diseño y
fabricación de la VRAM es mucho más compleja y requiere de más sílice por bit
que la DRAM. RAM de Ventana (Window RAM, WRAM)La RAM de Ventana o WRAM, por su nombre en inglés Window RAM, es una modificación de la VRAM que mejora el desempeño y reduce el costo en base bit a bit. Está diseñada específicamente para ser utilizada en tarjetas gráficas y hereda el puerto dual con un 25% de mejora en su ancho de banda con respecto a la VRAM, adicionando funciones que permiten una mayor desempeño en las transferencias de memoria para las operaciones gráficas comunes como el dibujado de texto y llenado a bloques. Tiene un costo intermedio entre la VRAM y la DRAM. La WRAM es ideal para ser utilizada en tarjetas gráficas de alto nivel y fue popularizada por las Series Millennium de Maxtor, que fueron las primeras en alcanzar resoluciones de 1600x1200 con color verdadero. La RAM de Ventana o Window RAM no tiene nada que ver con
Microsoft Windows. RAM Síncrona de Gráficos (Synchronous Graphics RAM, SGRAM)Esta es una tecnología relativamente nueva que ataca el problema del bajo desempeño de la DRAM común incrementando la velocidad a la que se transfieren los datos de la memoria. SGRAM también incorpora funciones específicas para trabajar con características de aceleradores gráficos integrados en las tarjetas de video, mejorando así la velocidad de procesamiento del video. SGRAM sigue siendo un tipo de memoria con un solo puerto, a diferencia de la VRAM o la WRAM, pero ofrece un desempeño más cercano a la VRAM que la DRAM debido a su diseño. SGRAM es utilizada en tarjetas gráficas de niveles medios y superiores donde el desempeño es importante, mas no así altas resoluciones. Matrox Graphics es la empresa que es reconocida por su extensivo uso de SGRAM. DRAM Multibanco (Multibank DRAM, MDRAM)Un tipo más de memoria para vídeo es la DRAM multibanco (Multibank DRAM, MDRAM), creada por MoSys Inc., específicamente para tarjetas de vídeo, y utilizada por las tarjetas Tseng Labs ET6000, que difiere substancialmente en diseño con respecto a los otros tipos de memoria para gráficos, separando la memoria en bancos de 32KB que pueden ser accesados directamente, en vez de la utilización de un bloque monolítico, utilizado por las demás tecnologías, pudiendo reducir el costo de algunos componentes, ya que con esta tecnología es posible crear circuitos con 2.5MB, que es el mínimo requerido para una resolución de 1024x768x24, en vez de los 4MB que otras tecnologías requieren. En general, esta tecnología ofrece las siguientes ventajas:
La MDRAM también tiene ventajas económicas al ser más barata su fabricación con respecto a la VRAM, más aún cuando puede ser organizada para reducir la subutilización de la memoria. MDRAM es utilizada en equipos de alto nivel y ha ganado popularidad gracias a sus características de mejora en desempeño así como en costo reducido, siendo su implementación más popular en la circuitería Tseng Labs ET6000.
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La memoria RAM
dinámica puede ser de diferentes tipos de acuerdo a la tecnología de fabricación:
Este tipo de memoria, en principio con tecnología 
La RAMBus o RDRAM es un paso revolucionario de la SDRAM. Es un diseño de
memoria con cambios en la estructura del transporte de datos. La RAMBus envía
menos información en el transporte de datos, que es de 16 o 18 bits contra el
estándar de 64 o 72, pero envía datos con mayor frecuencia. También lee datos en
los ejes de subida y bajada de la señal de reloj como la DDR RAM. Como
resultado, la RAMBus puede alcanzar datos de transferencia efectiva de datos a
800MHz y velocidades superiores.
DDR son las siglas para Doble Tasa de Transferencia de Datos, y es la memoria
que evoluciona de la SDRAM. De manera análoga a la SDRAM, DDR es síncrona con el
reloj del sistema teniendo como principal diferencia que la DDR RAM puede leer
datos en los ejes de subida y bajada de la señal de reloj, mientras que la SDRAM
únicamente lo hace en el eje de subida de una señal. Básicamente esto permite
que un módulo de DDR RAM pueda transferir datos al doble de velocidad que la
SDRAM. De manera similar a su antecesor, los módulos de DDR RAM son llamados
DIMM y utiliza diseños similares en la tarjeta madre, similares a los utilizados
por la SDRAM aún cuando no es compatible.
